场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种利用电场控制其导电性能的晶体管。它是晶体管的三个基本结构之一，与双极型晶体管和双极型效应晶体管一起构成了晶体管的三个主要类别。
FET主要由电源、场效应管管体、负载、控制电极组成，负载一般是漏极负载，控制电极一般是栅极，FET管体的左右端接正负电源，对其加上一个足够大小的正电压时，从右端针对内部结构的电场，电场会控制载流子在内部结构中传输，这样就形成了与普通晶体管不同的控制方式，控制电路的信号通过场效应管的栅极给FET提供控制电场（电势），从而控制漏电极与源电极之间的电流（漏极电流）。
FET与双极型晶体管的不同之处在于FET的控制电极栅极并不传递电流，而是通过一个弱电压控制漏电极到源电极流过的电流。因此，栅极输入电阻很高，几乎是无穷大，而双极型晶体管的控制端——基极具有较大的输入电阻。
FET的工作原理简单，控制电路信号只需一点电流即可，因此其使用范围非常广泛。
